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共漏架构的VMOS功放电路
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作者
曹学峰
出处
《无线电与电视》
2001年第11期39-40,共2页
关键词
VMOS
功率放大器
共漏架构
工作原理
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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马云.
VMOS高速功率放大电路[J]
.电声技术,1992,16(12):2-8.
2
李中江.
VMOS功率场效应晶体管(下)[J]
.电信技术,1990(11):25-27.
3
李振.
150W+150W VMOS大功率场效应管扩音机[J]
.电子世界,1993(10):10-10.
4
李中江.
VMOS功率场效应晶体管(上)[J]
.电信技术,1990(10):35-36.
5
梁达先.
电视发射机1kV帘栅电源的改造[J]
.西部广播电视,2006,27(9):44-46.
6
李红.
华为发布体验驱动的4KIP承载网解决方案[J]
.邮电设计技术,2016(5):10-10.
无线电与电视
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