摘要
利用高能重离子（Ｋｒ， Ｘｅ， Ｓｎ和Ｐb ）辐照处于 １６或 １００ Ｋ的低熔点纯金属 Ｂｉ，通过测量分析辐照引起的样品电阻率增量及其变化速率随辐照剂量的变化，研究了入射离子在Ｂｉ中引起的辐照损伤效应如辐照损伤效率及复杂缺陷的产生等．结果表明，强的电子能损可在纯金属Ｂｉ中引起附加缺陷的产生，从而使得辐照损伤效率＞１．电子能损值大时，入射离子在Ｂi中引起的辐照效应主要是电子能损效应．辐照温度和入射离子速度对辐照效应的强弱有一定的影响．
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期992-995,共4页
Chinese Science Bulletin
