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PGA370高密度陶瓷封装局部镀金

The selective gold plating for PGA370 high density ceramic packages
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摘要 研究了在陶瓷PGA 370和RP 54等具有分离 (导体 )结构的金属导体和引脚的高密度封装的局部镀金技术。结果表明 :采用分步化学镀和电镀相结合的方法 ,适当控制化学镀和电镀工艺条件 ,可以成功地实现上述封装的局部镀金。 Technology of the selective gold plating for PGA370 and RP54 high density ceramic packages which constructed with the separated metallic conductors and leads has been developed. The results show that the selective gold plating of the above mentioned packages could be implemented successfully with the combination of the fractional electroless and electroplating under suitably controlled plating conditions.
出处 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2001年第4期23-28,共6页 Electroplating & Finishing
关键词 高密度陶瓷 封装 化学镀镍 局部镀金 工艺条件 集成电路 high density packages electroless nickel plating selective gold plating
  • 相关文献

参考文献3

  • 1李宁,化学镀镍基合金理论与技术,2000年
  • 2曾华梁,电镀工艺手册,1989年
  • 3戴安邦,无机化学教程.上,1958年

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