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单片集成硅光接收器中p-i-n硅光电探测器的进展 被引量:2

Development of p-i-n Si photodetector in monolithic integrated Si photoreceiver
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摘要 介绍了单片集成硅光接收器的研究背景、硅光电探测器工作机理以及它对实现高性能单片集成硅光接收器的影响,回顾总结了近年来的研究进展,并报道了我们的研究结果,展望了今后的发展。 Background on which the monolithic integrated silicon photoreceiver developed is presented.The mechanism of the silicon photodetector and its impediments to the fabrication of high performance monolithic integrated silicon photoreceiver are discussed.Works including some of our experimental results in this field are reviewed and prospects are offered.
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第10期52-57,共6页 Semiconductor Technology
关键词 单片集成电路 p-i-n硅光电探测器 SOI 单片集成硅光接收器 p-i-n silicon photodetector SOI monolithic integrated silicon photoreceiver
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