摘要
报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 d B。
The design and fabrication of Ka band amplifier using power PHEMT devices are reported.PHEMT devices have been fabricated on 3 inch GaAs process line using 0.2 μm T gate technology.A single stage MIC amplifier fabricated employing 0.3 mm gate width PHEMT resulted in P out =100 mW with 4dB power gain at 34.0 GHz.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期371-374,共4页
Research & Progress of SSE
