运用无杂质空位扩散法研究InGaAs/InP多量子阱结构带隙的蓝移效应

采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si_3N_4和SiO_2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD)的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移。实验中选用Si_3N_4和SiO_2作为电介质膜,用以产生空位,并经过快速热退火处理。实验结果表明:带隙蓝移同退火温度和电介质膜有关,对于盖层为InP的InGaAs/InP多量子阱结构来说,好的退火温度是750℃,在此温度下Si_3N_4电介质膜导致的蓝移量较大。同时二次离子质谱(SIMS)的分析表明,电介质膜和快速热退火(RTA)能导致多量子阱中阱和垒组分互扩,这种互扩是导致带隙蓝移主要原因。