1.0μm InP工艺技术为达到OC-768的性能创造了条件

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摘要以制造先进IC著名的Vitesse Semiconductor公司(位于加州的Camarillo),成功地开发了一项新技术。采用这项新技术,可以以超过40Gb/s的速度传输数据。这项技术采用1.0μm工艺技术制造铟磷(InP)异质结双极晶体管(HBT),并以此为基础制造网络物理层所需要的IC。这些IC可以应用于SONET OC-768。

作者 Christina Nickolas 王正华

出处《今日电子》 2001年第9期3-3,共1页 Electronic Products

关键词磷化铟集成电路工艺技术异质结双极晶体管

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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