高岭石／甲酰胺插层的^1H魔角旋转核磁共振谱

应用高转速的1H魔角旋转核磁共振技术,区分高岭石结构中的内羟基和内表面羟基,研究高岭石/甲酰胺插层机理.内羟基质子的化学位移δ=-1.3～-0.9,内表面羟基δ=2.4～3.0.高岭石/甲酰胺插层复合物的1H核磁共振谱出现3个质子峰,内表面羟基与甲酰胺羰基形成氢键后质子峰向高场方向位移至δ=2.3～2.7;由于氨基质子在高岭石复三方孔洞的嵌入,在氨基质子与内羟基质子之间产生范德华效应,使内羟基质子峰向低场方向位移至δ=-0.3.插层作用产生的附加质子峰为δ=5.4～5.6,归属于与高岭石四面体氧原子形成氢键的氨基质子.