期刊文献+

掺杂铌对钛酸锶双晶界面势垒的抑制作用

Effect of Dopant Nb on the Grain Boundary Potential in ∑13[001]Strontium Titanate Bicrystals
下载PDF
导出
摘要 用电子全息技术测量了掺铌∑ 13[0 0 1]钛酸锶倾转双晶界面的电势场分布。结果显示掺杂前界面处的Schottky势垒已消失。表明铌原子占据了界面处氧离子空位 ,消除了电荷聚集在界面处的分布状态。有选择性地掺杂金属元素可以补偿晶界面固有的内禀缺陷 。 Potential distribution at the ∑13tilt boundary of strontium titanate bicrystal doped with niobium has been measured using hig resolution electron holograph Schottky grain boundary bariers at the boundary examined in the case of the undoped strontium titanate was eliminated due to niobium atoms occupying the vacancies of oxygen at the grain boundary core,which removed the charge accumulation at the boundary Elimination of Schottky grain boundary bariers suggests that the intrinsic ionic defects at the grain boundary could be modified by extrinsic dopant additions The resultant characteristics of the macroscopic electric properties of strontium titanate bicrystal coincided to the linear response of ionic or electronic charge carriers to an applied voltage
作者 王岩国 张泽
出处 《金属功能材料》 CAS 2002年第1期29-32,共4页 Metallic Functional Materials
关键词 界面 电子全息 势场 钛酸锶 掺杂 导电陶瓷 铁电材料 interface,electron holography,potential,SrTiO 3,metal doping
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献4

  • 1王岩国 张泽.电子全息技术在界面势场分布测量中的应用.2000年中国材料研讨会论文集[M].北京,2000.434.
  • 2王岩国,2000年中国材料研讨会论文集,2000年,434页
  • 3Chiang Y M,J Am Ceram Soc,1990年,73卷,3278页
  • 4Chiang Y M,J Am Ceram Soc,1990年,73卷,3286页

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部