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InP/InGaAs单行载流子光电二极管 被引量:1

InP/InGaAs Unidirection Carrier Photodiode
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摘要 引言 为适应大容量光纤通信和超高速光电子测试系统,光电二极管一直致力于提高带宽.结构设计和工艺技术的改进已经使光探测器取得了极大进步.但随着光放大器及微波/毫米波光子系统的进步,高饱和输出(大信号工作)已成为光电二极管应具备的重要性能.另外,微波光子系统通常需要光生微波/毫米波信号,光电二极管要用作微波/毫米波发生器,基本要求就是宽线性和高饱和输出.大功率的光探测器还适于同众多电子器件及光子器件集成实现新的信号处理功能,从而可拓宽光探测器的应用领域.
作者 谭朝文
出处 《世界电子元器件》 2002年第1期26-26,共1页 Global Electronics China
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