摘要
采用颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 6 .36 %的薄膜太阳电池 .对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨 .
Polycrystalline silicon thin film soalr cell on low cost SSP substrate is studied to satisfy the needs of cost reduction and industrialization. The best efficiency of 6.36% (J SC=24.55 mA·cm -2,V OC=432.6 mV,F f=0.598 7) has been achieved. Processing conditions and further work are discussed.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期781-784,共4页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家科技部"九七三"基金资助项目
