摘要
文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 4 C0 4在接口、电学特性上完全兼容 ,可以在 2 4 C0 4的电路应用中直接代替之。
A scheme for implementation of a 4 kbit serial ferroelectric nonvolatile memory is proposed, which is composed of 2T 2C memory cells.The signal definition and the state machine description are discussed.The device has the characteristics of compatibility with traditional E 2PROM
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期255-259,275,共6页
Microelectronics
基金
国家自然科学基金项目 ( 698760 0 8)
"863"项目
AM基金项目
关键词
铁电电容
VLSI
存储器
FRAM
2T 2C memory cell
Ferroelectric capacitance
VLSI
