摘要
设计了水平沉积系统 ,物理气相生长了并四苯晶体。仅用 10～ 30mg的源 ,得到了面积达 2 0mm2 的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明 ,晶体表面光滑 。
The transport system and horizontal furnace have been designed to grow tetracene crystals by physical vapor transport.Using only 10～30 mg of source material,plate like crystals up to 20 mm 2 in area have been grown.Conditions for the reproducible growth of crystals are reported.The measurements indicate the highly ordered structure and smooth surface of the sample.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期437-439,442,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 15 )
关键词
并四苯
有机晶体
物理气相沉积
tetracene
organic crystal
physical vapor deposition
