摘要
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第18期1511-1513,共3页
Chinese Science Bulletin
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号: G2000036505).
