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注As或扩Sb埋层对硅外延淀积的影响
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作者
谢明纲
出处
《上海半导体》
1991年第2期19-22,45,共5页
关键词
晶体管
集成电路
AS
硅
外延淀积
分类号
TN431.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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4
徐稼迟,沈能珏.
MOCVD工艺中使用的特种气体[J]
.低温与特气,1985,3(4):37-39.
上海半导体
1991年 第2期
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