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碲镉汞光伏器件的电极界面参数 被引量：1

MS Interface Parameters Extracted from Current-Voltage Characteristic of PV Device
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摘要 利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜 PN器件的电极界面的势垒高度锁定在“Bardeen”限 ,界面密度比介质膜 The MS interface parameters are extracted from HgCdTe PV devices' current voltage characteristic by applying Thermionic Field Emission(TFE) theory and numerical analysis.Discussion shows that the barrier height of Sn/Au HgCdTe contact is pinned at 'Bardeen limit' and the interface state density is one magnitude higher than that of the dielectric film HgCdTe interface.
作者 胡晓宁 李言谨 方家熊
机构地区 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1439-1443,共5页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :1980 5 0 14 )~~
关键词 碲镉汞光伏器件 电极界面参数 红外探测器 MS interface current voltage characteristic HgCdTe PV device
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献2

  • 1刘恩科，半导体物理学，1979年
  • 2汤定元，红外物理与技术，1974年，6卷，345页

同被引文献10

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引证文献1

二级引证文献7

Journal of Semiconductors
2001年 第11期

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