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金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜 被引量:1

Metal β-Diketonates Used as Precursors for Ferroelectric Oxide Thin Films
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摘要 对用于 MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属 β-二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述 ,对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍 ,并对它们的应用前景作了展望。 The preparation of volatile metal β-diketonates used as precursors for deposition of the ferroelectric oxide thin films is reviewed. The structures and properties of them are presented and discussed. The use of them in metal organic vapor deposition of ferroelectric oxide thin films is also discussed.
出处 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2002年第1期61-67,共7页 Progress in Chemistry
基金 国家"8 6 3"新材料领域基金 山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题资助
关键词 金属β-二酮化合物 金属有机化学气相沉积 铁电氧化物薄膜 MOCVD 结构 性质 制备 metal β-diketonates MOCVD ferroelectric thin films
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献2

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共引文献1

同被引文献49

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引证文献1

二级引证文献1

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