摘要
在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。
C SiC film has been grown on Si(100) at 850 ℃ in a mixture of SiH 4 and C 2H 4.The thin film was characterized by X ray diffraction (XRD),X ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR).Our results suggest that the film is silicon rich 3C SiC crystalline and the stoichiometry of Si and C of the film is 1 2.
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第1期58-60,共3页
Vacuum Science and Technology
基金
国家自然科学基金资助课题 (No .696860 0 2 )
