期刊文献+

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量 被引量:6

THE VARIETIES,REPRESENTATION AND MEASURING ON THE STRESSES OF AlGaAs/GaAs EPITAXIAL LAYER IN THE TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE
下载PDF
导出
摘要 本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。 The stresses overall epitaxial wafer can be represented by the curvature radius of the wafer,furthermore the curvature radius of curved wafer can be measured by X-ray diffraction.This paper described the varieties,the presetation and measuring method of stresses on AlGaAs/GaAs epitaxial layer.Besides experimental data and analysing results were given in this paper .
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期88-92,共5页 Acta Photonica Sinica
关键词 GAAS/ALGAAS 光电阴极 X射线衍射 应力 外延 测量方法 表征方法 砷化镓 铝砷镓化合物 半导体 GaAs/AlGaAs Photocathode X-ray diffraction Stress Epitaxy
  • 相关文献

参考文献1

  • 1[美]萨默A H 侯洵(译).光电发射材料[M].北京:科学出版社,1979.267-362.

同被引文献22

  • 1李炳辉,韩汝琦,王阳元.GeSi/Si应变异质结构应变和应力分布的模型研究[J].Journal of Semiconductors,1996,17(2):81-87. 被引量:1
  • 2徐江涛 侯志鹏.微光管制备超高真空的获得与技术改进.应用光学,2007,28:196-198.
  • 3郭太良.GaAs负电子亲合势光电阴极研究[C].北京:中国电子学会,1986.
  • 4A H sommer.Photomissive Materials[M]. New Yo-rk:Wiley,1968.
  • 5Sommer A H. Photomissive Materials[ M]. 1968:292.
  • 6I V Goltser,M Ya Darscht,N D Kundikova,et al. An adjustable quarter-wave plate[J].Optics Communications,1993,97(5,6):291.
  • 7柳承茂.MATLAB5.X 入门与应用[M].北京:科学出版社,1999..
  • 8章毓晋.图像工程(上)-图像处理和分析[M].北京:清华大学出版社,1999..
  • 9Gisin N.Statistics of polarization dependent losses.Opt Comm,1995,114(5-6):399~405
  • 10Yan L S,Yu Q,Luo T,et al.Deleterious system effects due to low-frequency polarization scrambling in the presence of nonnegligible polarization -dependent loss.IEEE Photon Techno Lett,2003,15(3):464~466

引证文献6

二级引证文献12

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部