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锗掺镓产生二维光电导体

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摘要日本东京通信研究实验室设计成功一种锗掺镓(Ge:Ga)光电导体,其纵断面可用于3TH2范围内的二维远红外探测,同时也适合天文学、分子和固体的光谱研究以及血浆诊断等应用。通过植入硼离子和退火,研究人员在一块0.5mm厚的Ge:Ga(Ga浓度为1.56×10^(14)离子/cm2)

作者顾聚兴

出处《红外》 CAS 2002年第2期14-14,共1页 Infrared

关键词锗掺镓光电导体光电探测器

分类号 TN365 [电子电信—物理电子学]

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红外

2002年第2期

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