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GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长 被引量:4

LP-MOCVD GROWTH OF GaInP_2/GaAs/Ge TWO-JUNCTION SERIES-CONNECTED TANDEM SOLAR CELLS
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摘要 本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 . A two-terminal GaInP 2/GaAs/Ge tandem solar cell hasbeen obtained on a home-made low pressure MOCVD system. The crystal quality of the solar cell was studied by the X-ray diffractometer.The SIMS depth profile of the cell was also investigated.Besides,the whole tandem solar cell was made and the cell performance parameters were measured.The efficiency(AMO)of the device is 13.65% .The open circuit voltage V oc,short circuit current density J sc were 2230mV and 12.6mA/cm 2,respectively.
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期209-212,共4页 Acta Photonica Sinica
基金 国家自然科学基金资助项目
关键词 LP-MOCVD CaInP2/GaAs/Ge 叠层太阳电池 外延生长 镓铟磷化合物 砷化镓 LP-MOCVD GaInP2/GaAs/Ge Tandem solar cell
  • 相关文献

参考文献2

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二级参考文献2

共引文献3

同被引文献57

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引证文献4

二级引证文献11

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