纳米器件与单电子晶体管(续)
被引量:2
Nanodevices and single-electron transistors
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第2期12-14,共3页
Micronanoelectronic Technology
基金
国家自然科学基金(69925410
19904015)资助项目
参考文献9
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1Wang T H, Tarucha S. Effects of finite drain voltage and finite temperature on coherent resonant transport in single electron tunneling regime [J] .Appl Phys Lett, 1996, 69 (3): 406.
-
2Wang T H, Li H W, Zhou J M. Si single-electron transistors with in-plane point-contact metal gates [J] .Appl Phys Lett,2001, 78 (15): 2160.
-
3Wang T H, Tarucha S. Effects of coupling and nanresonant tunneling on Coulomb blockade oscillations in an asymmetric double dot structure [J] .Appl Phys Lett, 1997, 71 (17):2499.
-
4Nakazato K, Blaikie R J, Cleaver J R A et al. Single-electron memory [J] . Electronics Letters, 1993, 29 (4): 384.
-
5Nakazato K, Ahmed H. The multiple-tunnel junction and its application to single-electron [J] .Jpn J Appl Phys Part 1,1995, 34 (2B): 700.
-
6Wang T H, Aoyagi Y. Single-electron charging in a parallel dot structure [J] .Appl Phys Lett, 2001, 78 (5): 634.
-
7Fu Y, Wang T H, Willander M. Designing two-dimensional electron gases in GaAs/InGaAs/AlGaAs, doped A1GaAs/GaAs,and AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for single electron transistor application [ J] .J Appl Phys, 2001, 89 (3) :1759.
-
8王太宏,李宏伟,贾海强,李卫,黄绮,周均铭.纳米结构的制备及单电子器件研究[J].物理,2001,30(1):3-5. 被引量:5
-
9Wang T H, Li H W, Zhou J M. Charging effect in InAs selfassembled quantum dots [ J] .Appl Phys Lett, 2001, 79(10): 1537.
二级参考文献4
-
1Fu Y,J Appl Phys,2001年,1页
-
2Wang T H,Appl Phys Lett,1997年,71卷,2499页
-
3Wang T H,Appl Phys Lett,1996年,69卷,406页
-
4Wang T H,Appl Phys Lett,2001年
共引文献4
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1王太宏,赵继刚,傅英,李宏伟,李卫,王春花,王振霖,庞科,刘淑琴,符秀丽.纳米器件的制备、表征及其应用[J].物理,2002,31(1):4-6. 被引量:1
-
2王太宏.一种实用新型单电子晶体管[J].微电子技术,2001,29(6):45-49. 被引量:1
-
3庞科,王太宏.用以制备单电子晶体管的2DEG结构的设计[J].半导体技术,2002,27(3):67-71.
-
4郭辉,郭维廉,张世林,梁惠来.单电子晶体管及其工艺制作技术[J].微纳电子技术,2002,39(4):11-18.
-
1王太宏.纳米器件与单电子晶体管[J].微纳电子技术,2002,39(1):28-32. 被引量:5
-
2王太宏.单电子晶体管及其集成研究[J].世界科技研究与发展,2001,23(3):14-19. 被引量:2
-
3毕庆,于慧敏,孙辉,魏迪飞.一种接触点式连接器的结构设计[J].机电元件,2017,37(2):9-11. 被引量:1
-
4孙劲鹏,王太宏.点接触平面栅型硅单电子晶体管[J].微纳电子技术,2002,39(4):8-10. 被引量:1
-
5鞠衍清.用LED演示晶体管的电流放大作用[J].技术物理教学,2004,12(4):29-30.
-
6海尔手机常见故障及排除方法[J].家电科技(维修与培训),2004(11):50-51.
-
7程元生,朱坤宝,夏瑞明,王凤仙,孙毅之,鲁松年,朱德平,张海明.测定外延层电阻率的面接触方法研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(4):336-345.
-
8穆良知.身份证明卡——带触点的集成电路卡 第二部分:触点的尺寸及位置[J].信息安全与通信保密,1993(3):18-21.
-
9新品推荐[J].电子质量,2015(7):48-50.
-
10谢聪,邓治彬.基于CPCI的多通道短波通信控制平台开发[J].舰船电子工程,2009,29(6):113-115.