期刊文献+

纳米器件与单电子晶体管(续) 被引量:2

Nanodevices and single-electron transistors
下载PDF
导出
作者 王太宏
出处 《微纳电子技术》 CAS 2002年第2期12-14,共3页 Micronanoelectronic Technology
基金 国家自然科学基金(69925410 19904015)资助项目
  • 相关文献

参考文献9

  • 1Wang T H, Tarucha S. Effects of finite drain voltage and finite temperature on coherent resonant transport in single electron tunneling regime [J] .Appl Phys Lett, 1996, 69 (3): 406.
  • 2Wang T H, Li H W, Zhou J M. Si single-electron transistors with in-plane point-contact metal gates [J] .Appl Phys Lett,2001, 78 (15): 2160.
  • 3Wang T H, Tarucha S. Effects of coupling and nanresonant tunneling on Coulomb blockade oscillations in an asymmetric double dot structure [J] .Appl Phys Lett, 1997, 71 (17):2499.
  • 4Nakazato K, Blaikie R J, Cleaver J R A et al. Single-electron memory [J] . Electronics Letters, 1993, 29 (4): 384.
  • 5Nakazato K, Ahmed H. The multiple-tunnel junction and its application to single-electron [J] .Jpn J Appl Phys Part 1,1995, 34 (2B): 700.
  • 6Wang T H, Aoyagi Y. Single-electron charging in a parallel dot structure [J] .Appl Phys Lett, 2001, 78 (5): 634.
  • 7Fu Y, Wang T H, Willander M. Designing two-dimensional electron gases in GaAs/InGaAs/AlGaAs, doped A1GaAs/GaAs,and AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for single electron transistor application [ J] .J Appl Phys, 2001, 89 (3) :1759.
  • 8王太宏,李宏伟,贾海强,李卫,黄绮,周均铭.纳米结构的制备及单电子器件研究[J].物理,2001,30(1):3-5. 被引量:5
  • 9Wang T H, Li H W, Zhou J M. Charging effect in InAs selfassembled quantum dots [ J] .Appl Phys Lett, 2001, 79(10): 1537.

二级参考文献4

  • 1Fu Y,J Appl Phys,2001年,1页
  • 2Wang T H,Appl Phys Lett,1997年,71卷,2499页
  • 3Wang T H,Appl Phys Lett,1996年,69卷,406页
  • 4Wang T H,Appl Phys Lett,2001年

共引文献4

同被引文献2

引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部