多晶硅薄膜晶体管中关状态引起的关状态电流下降
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2001年第6期47-47,共1页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1何野,庄庆德.多晶硅薄膜晶体管的模拟与分析[J].东南大学学报（自然科学版）,1990,20(4):53-59.
-
2商陆民,汤金榜,周然,杨辉勋.多晶硅薄膜晶体管特性的研究[J].东南大学学报（自然科学版）,1995,25(1):120-122.
-
3魏荣根.多晶硅薄膜晶体管寻址的全色液晶显示器[J].真空电子技术,1992,5(2):55-57.
-
4王阳元,陶江,韩汝琦,吉利久,张爱珍.集成电路中多晶硅薄膜载流子迁移率的实验研究和理论模型[J].Journal of Semiconductors,1989,10(4):286-293.
-
5265尺寸对微加工多晶硅薄膜的机械特性和可靠性分析的影响[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(6):65-65.
-
6顾聚兴.响应率可调的微测辐射热计[J].红外,2004,25(9):9-9.
-
7李阳.不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究[J].兵器材料科学与工程,2010,33(4):4-7.
-
8赵红平,雷威,张晓兵,李晨,李晓华.液晶显示器新技术[J].真空电子技术,2004,17(5):1-6. 被引量：7
-
9马建一.重掺硼多晶硅薄膜的电学性质[J].半导体光电,1993,14(1):81-88. 被引量：1
-
10周华.450℃下制备的多晶硅薄膜晶体管寻址全色液晶显示器[J].液晶与显示,1989,9(6):47-47.
;
