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新型绝缘体上硅技术的发展与展望 被引量：4

Development of SOI technology on the new insulator
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摘要 总结了最新发展起来的两种绝缘体上硅晶片制造技术 ,给出了绝缘体上硅新器件、新结构和新工艺研究进展 ,提出绝缘体上硅技术所面临的机遇和挑战 . An overview of the two methods in manufacturing technology of the SOI wafer is described firstly, and then several new devices and structures are presented. Finally, the challenges that SOI is facing in order to compete with bulk Si in the commercial arena are addressed.
作者 冯倩 郝跃
机构地区 西安电子科技大学微电子研究所
出处 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期792-796,共5页 Journal of Xidian University
基金 国家部委预研资助项目 ( 8 5 3 4)
关键词 绝缘体上硅晶片 制造技术 电子器件 SOI wafers SOI technology new devices and structures
分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献9

共引文献10

同被引文献24

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引证文献4

二级引证文献6

西安电子科技大学学报
2001年 第6期

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