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InP太赫兹功率放大器芯片 被引量:2

InP Terahertz Power Amplifier MMIC
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摘要 太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。
作者 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 SUN Yan;CHENG Wei;LU Hai yan;WANG Yuan;WANG Yu xuan;KONG Yue chan;CHEN Tang sheng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing,210016, CHN)
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期F0003-F0003,共1页 Research & Progress of SSE
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