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Temperature dependence simulation and characterization for InP/InGaAs avalanche photodiodes

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出处 《Frontiers of Optoelectronics》 EI CSCD 2018年第4期400-406,共7页 光电子前沿(英文版)
基金 the National Hi-Tech Research and Development Program of China (No.2008AA1Z207) Natural Science Foundation of Hubei Province,China (No.2010CDB01606) Fundamental Research Funds for the Central Universities (HUST: 2016YXMS027) Huawei Innovation Research Program (Nos. YJCB2010032NW,YB2012120133,YB2014010026and YB2016040002) and Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars.
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