美研制出最小三维晶体管可逐个原子地修改半导体材料

据科技日报纽约12月10日报道,美国研究人员研制出一种迄今最小的商业三维晶体管和一种新颖的微加工技术,可以逐个原子地修改半导体材料。美国麻省理工学院和科罗拉多大学研究人员在IEEE(电气和电子工程师协会)国际电子器件会议上发表的论文称,他们对最新发明的化学蚀刻技术(热原子级蚀刻)进行了改进,以便在原子水平上对半导体材料进行精确修改。利用这种技术制造出的CMOSZ维晶体管可窄至2.5纳米,且效率高于商用晶体管。