三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制

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摘要在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议(IEDM 2018)(12月1日至5日)上,三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。这个新机制是通过确认栅极氧化物和SiC之间的界面下的硫捕获器件电流路径中的一些电子传导,增加阈值电压而不改变器件的导通电阻而实现的。

出处《半导体信息》 2018年第6期11-11,共1页 Semiconductor Information

关键词三菱电机公司功率半导体东京大学 SIC 可靠性机制加利福尼亚州电子设备

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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