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佛罗里达大学,美国海军研究实验室和韩国大学评估氧化镓作为超宽带隙半导体的前景
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摘要
美国佛罗里达大学、美国海军研究实验室和韩国大学的研究人员在AIP出版的《应用物理学》上发表了研究有关,展现最具前景的超宽带化合物——氧化镓(Ga2O3)的特性、能力、电流限制和未来发展前景。
出处
《半导体信息》
2018年第6期23-24,共2页
Semiconductor Information
关键词
美国海军研究实验室
佛罗里达大学
宽带隙半导体
氧化镓
韩国
评估
应用物理学
研究人员
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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