期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析 被引量：1

X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS ON THE Al CONTENT OF THE AlGaAs BUFFER LAYER IN THE TRANSPARENT GaAs PHOTOCATHODE
下载PDF
导出
摘要 研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。 It described the analysing principle of Al content on AlGaAs buffer layer and gave the calculation formulae corresponding to their strain situations.Besides,some calculation examples were given.
作者 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵
机构地区 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期454-457,共4页 Acta Photonica Sinica
关键词 GaAs ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物 GaAs AlGaAs X-ray Photocathode Diffraction Lattice parameter Strain
分类号 TN103 [电子电信—物理电子学] O462.3 [理学—电子物理学]
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]Manasevit H M.Single-crystal gallium arseine on insulating substrates.Appl Phys Lett,1968,12(4):156～157
  • 2[2]Fewster P F.A high-resolution mutiple-crytstal multiple-reflection diffractometer.J Appl Gryst,1982,22(1):64～69
  • 3[3]Fewster P F.X-ray diffraction from low dimensional structures.Semicond Sci Technol,1993,8(10):1915～1934

同被引文献12

  • 1许振嘉.半导体的检测与分析[M].北京:科学出版社,2007:54.
  • 2HUANG P P, HUANG T W, WANG H. et al. A 94 GHz 0.35 W power amplifier module [ J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1997, 45 (12): 2418-2423.
  • 3MALTHEWS J W, BLACKESLEE A E. Defects in epi- taxial multilayers [ J]. Journal of Crystal Growth, 1974, 27 (12): 118-125.
  • 4ORDERS P J, USHER B F. Determination of critical layer thickness in In Gal_" As heterostructures by X-ray diffraction [J]. Applied Physics Letters, 1987, 50 (15) : 980-982.
  • 5PEOPLE R, BEAN J C. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSil_JSi strained-layer heterostructures [ J]. Applied Physics Let- ters, 1985, 47 (3): 322-324.
  • 6JACOB K T, SHUBHRA R, RANNESH L. Vegard' s law: a fundamental relation or an approximation [ J]. In- ternational Journal of Materials Research, 2007, 98 (9): 776-779.
  • 7SADAO A. Physical properties of III-V semiconductor compounds [ M ]. USA : John Wiley & Sons Publisher , 1992: 20-25.
  • 8ADACHIS.1V族、Ⅲ-V族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的特性[M].季振国,译.北京:科学出版社,2009:37-45.
  • 9郑江海.GaN/InGaN应变层临界厚度的计算[J].漳州师范学院学报（自然科学版）,2009,22(3):68-72. 被引量：1
  • 10谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J].微纳电子技术,2002,39(2):15-17. 被引量：4

引证文献1

光子学报
2002年 第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部