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半导体放电管 被引量:5

Semicondoctor Arrester
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摘要 分析了造成电压瞬变和浪涌的原因,介绍了相应的防护办法,叙述了新型过压保护器件—半导体放电管的结构、特点、应用以及与其它传统的保护器件(TVS二极管、半导体放电管)的区别。 Semicond uctor arrestor is a new type of transient voltage suppressor,whose structur e and characteristic are com-parable with other protectors and whose apply is int roduced .
作者 黄蕾 刘建朝
出处 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2002年第3期28-29,37,共3页 Microelectronics & Computer
关键词 半导体放电管 保护器件 气体放电管 工作原理 semiconductor arrestor protector
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参考文献3

二级参考文献7

共引文献18

同被引文献28

  • 1李晓明,皮伟才,娄颖,吴俊.有载调压中互斥晶闸管开关组的通断控制[J].高电压技术,2006,32(1):65-68. 被引量:10
  • 2鲁亚翠,刘佑宝.半导体保护器件阴极短路区的设计[J].电子器件,2006,29(3):741-744. 被引量:1
  • 3刘飞,卢志良,刘燕,徐政.用于TCR的晶闸管光电触发与监测系统[J].高电压技术,2007,33(6):123-128. 被引量:34
  • 4李显宝.基于开关二极管的示波器输入通道保护器[C].第六届全国信息获取与处理学术会议论文集.2008.
  • 5Mitchel G R, Melancon C. Subnanosecond protec- tion circuits for oscilloscope inputs [J]. Review of Scientific Instruments, 1985, 56(9): 1804- 1808.
  • 6Wei Zhang. The deign of protection circuit for oscil- loscope inputs [C]. Xi'an: 15th Asian Conference on Electrical Discharge, China. 2010.
  • 7高速二极管1N4150/1N4151数据手册.飞利浦半导体产品规格,1999.
  • 8泰克电子.半导体放电管数据手册和设计指南.2002.
  • 9Garcia-Garcia J, Rico-Secades M, Corominas E L, et al. Using Solid-State Over-Voltage Protection De- vices for High Intensity Discharge Lamps Ignition [C]. 37th IAS Annal Meeting, 2002, 1, 36 - 368.
  • 10Raderch P S.A review of the shorted emitter principle as applied to p-n-p-n silicon controlled rectifiers[J].Int J Electron, 1971, 31(6):541-564.

引证文献5

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