摘要
本文报道了用光照非稳态法对反应磁控溅射制备的AlN_xO_y-Al太阳能高温选择性吸收膜半球向全发射率ε的研究结果,给出了从60℃至310℃区间的半球向全发射率数据。
This paper described the measaremeni of total hemi-spherical emittance of AlNxOy-Al for high temperature solar selective absorption films by magnetron sputtering.The results of hemispherical emittance of AlNxOy-Al films from 60℃ up to 310℃ are given.
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期401-404,共4页
Acta Energiae Solaris Sinica