摘要
分析了不同温度下超薄基区 Si Ge HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化 。
Variations of carrier temperature and diffusion coefficient with structural parameters in the ultra-thin base in SiGe HBT are analyzed at different temperatures, then result of an experiment is given.
出处
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期5-7,18,共4页
Research & Progress of SSE
关键词
硅锗
异质结双极晶体管
超薄基区
温区
Carrier concentration
Diffusion
Germanium compounds
Silicon compounds
Temperature
