Si晶体中δ掺杂Sb原子的分布研究
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1林传金,郭莉莉.Si晶体结构参数的第一性原理计算[J].漳州师范学院学报（自然科学版）,2013,26(3):74-76.
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2杨晓婵.日本东京大学等开发出新型低耗电光调制器[J].现代材料动态,2015,0(1):2-3.
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3徐玉忠.Ar气流速和炉压对Si晶体中氧浓度的影响[J].电子材料快报,1998(12):9-11.
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4徐玉忠.Ar气流速和炉压对Si晶体中氧浓度的影响[J].电子材料快报,1998(11):8-16.
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5邓志杰.SOI集成中应变硅的外延工艺[J].现代材料动态,2005(5):4-6.
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6胡刚.采用Si离子植入在SiO2中合成纳米尺寸的Si晶体[J].等离子体应用技术快报,1997(10):17-18.
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7杨立军,孟庆元,李根,李成祥,果立成.Si晶体中螺位错滑移特性的分子动力学[J].吉林大学学报（理学版）,2007,45(2):259-264. 被引量：3
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8贾全杰,姜晓明,蒋最敏.同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分布的应用[J].理化检验（物理分册）,1998,34(8):3-8. 被引量：3
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9沈波,陈鹏,陈志忠,张荣,施毅,关口隆史,角野浩二.Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为[J].Journal of Semiconductors,1998,19(7):489-492.
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10邓志杰.RF-FZ晶体生长过程中Si熔体对流的研究 2.数值研究[J].现代材料动态,2000(10):18-18.
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