在氧化过程中微弧氧化覆层特性的变化

文献[1]在比较用独立法求得的实验数据的基础上,提出了微等离子体电击穿模型,按照该模型,覆层中等离子体通道的贯穿深度被因氧化而在金属表面上获得的半导体薄膜的空间电荷区所限制。该模型便于理解金属微弧氧化时在金属-薄膜-电解质分界面所进行的一些过程,以及可以阐明导致氧化过程中表面层性质变化的原因。