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基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体电离参数研究

Ionization Parameter Study of Optical-Field-Ionized B-Like N System at Low Density
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摘要 以类硼氮系统为例 ,对基于光场感生电离线偏振激励低密度等离子体的电离参数进行了研究 ,由此确定了对于适合复合机制的类硼氮 4 5 .2 1nm的产生 ,其最佳激励激光强度为 5× 10 1 5W cm2 。 The ionization parameters of B-like N system are studied driven by linely polarized laser at low density. The optimum laser intensity suited for B-like N system is 5&middot1015 W/cm2. At the same time, the calculated result is analyzed.
作者 陈建新 王骐 夏元钦 陈德应
机构地区 哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐激光技术国家级重点实验室
出处 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期432-435,共4页 Acta Optica Sinica
基金 国家 8 6 3高技术激光技术主题 国家自然科学基金(6 0 0 780 10 )资助课题
关键词 线偏振光场 电离参数 类硼氮系统 低密度等离子体 激光强度 感生电离 Boron Ionization Lasers Light polarization Nitrogen Plasma density
分类号 O53 [理学—等离子体物理] TL651 [核科学技术—核技术及应用]
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参考文献14

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共引文献3

光学学报
2002年 第4期

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