摘要
用全势缀加平面波方法（FPLAPW）计算了β-SiC及其非极性（110）表面的原子与电子结构.计算出的β-SiC晶体结构参数:晶格常数和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算β-SiC（110）表面的原子与电子结构,结果表明,表面顶层原子发生键长收缩和旋转的弛豫特性,表面阳离子Si向体内移动而阴离子 C向表面外移动.这与Ⅲ～Ⅴ族半导体（110）表面弛豫特性相似.表面重构的机制是Si原子趋向于以平面构型的sp2杂化方式与其三配位C原子成键,C原子趋向于以锥型的p3方式与其三配位Si原子成键.另外表面弛豫实现表面由金属性至半导体性的转变.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期336-341,共6页
Chinese Science Bulletin
基金
感谢与韩聚广研究员进行的有益讨论 本工作为国家自然科学基金(批准号:50132040)
中国科学技术大学"同步辐射应用及新概念"研究基地资助项目.
