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射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用 被引量：4

Emission Spectra of Nitrogen Plasma in RF Auxiliary GaN MBE Film Growth
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摘要 研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 。 The emission spectra of nitrogen plasma,used in GaN film growth by RF plasma molecular beam epitaxy (MBE) was studied.Influence of the variations in emission spectra on the growth parameters was discussed.How activated particles in the plasma affect film growth was also tentatively discussed.
作者 杨冰 蒲以康 孙殿照
机构地区 清华大学电机系 中国科学院半导体研究所
出处 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第2期153-156,共4页 Vacuum Science and Technology
关键词 射频等离子体发射光谱分析 GaN 分子束外延生长 氮化镓 薄膜生长 半导体薄膜 Plasma emission spectra,Radio frequency,Molecular beam epitaxy
分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

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同被引文献36

引证文献4

二级引证文献15

真空科学与技术
2002年 第2期

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