期刊文献+

碲镉汞红外焦平面光电子物理的应用基础研究进展

Progress on the Study of Physics of Optoelectronics on HgCdTe Infrared Focal Plane Array
原文传递
导出
摘要 窄禁带半导体碲镉汞红外焦平面列阵研究是当代红外光电子技术的前沿。本文介绍了中科院“九五”基础性研究重 大项目“碲镉汞红外焦平面光电子物理的应用基础研究”的进展情况。 The study of the infrared focal plane array based on the narrow gap semiconductors HgCdTe is a hot topic in the field of advanced infrared optoelectronics. This paper reports the progress of the project: fundamental research for application of the physics of optoelectronics on HgCdTe infrared focal plane array.
作者 褚君浩
出处 《中国基础科学》 2002年第2期17-23,共7页 China Basic Science
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Junhao Chu,Dingyuan Tang. Recent progress on HgCdTe at the national laboratory for infrared physics in china[J] 1996,Journal of Electronic Materials(8):1176~1182

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部