直拉Si单晶中的缺陷减少与吸杂能力的提高
出处
《现代材料动态》
2002年第2期2-3,共2页
Information of Advanced Materials
-
1杨宇春.价低质优的硅抛光片[J].现代材料动态,2002(2):4-5.
-
2傅春寅,鲁永令,曾树荣.稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数[J].物理学报,1989,38(9):1534-1539.
-
3田建国,张春平,张光寅.Si单晶的光学限制特性[J].Journal of Semiconductors,1991,12(10):609-613.
-
4沈波,杨凯,张序余,施洪涛,张荣,施毅,郑有炓,关口隆史,角野浩二.直拉型Si单晶中金属杂质对氧沉淀行为的影响[J].Journal of Semiconductors,1997,18(2):118-123. 被引量：1
-
5李巨晓,庄力.机械振动对直拉法Si单晶生长的影响[J].半导体技术,2008,33(4):304-307. 被引量：4
-
6赵继然,江敏华,查贵根,王润文,韦凤辉,庄顺昌.激光对Si单晶热敏电阻作用的实验研究[J].中国激光,1989,16(1):41-45.
-
7陈燕生,李秋生,王丛华,陈炳贤,高秀清.区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响[J].稀有金属,1990,14(1):29-31. 被引量：1
-
8佟嵩,刘湘娜,鲍希茂.纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究[J].Journal of Semiconductors,1995,16(9):716-720.
-
9谭淞生,朱德光,王自筠.重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨[J].应用科学学报,1989,7(2):179-181.
-
10闫萍,张殿朝,庞丙远,索开南.真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命[J].半导体技术,2008,33(11):1003-1006. 被引量：6
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