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ASIC设计中的新型CMOS基准电压组态 被引量:1

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摘要 本文提出了工作在亚阈值区的一类新型 CMOS 基准电压组态。电路中的 NPN 和 PNP 双极晶体管均采用共片 IC 的标准 P 阱 CMOS 工艺形成。通过电路分析和 Spice 模拟,证明其设计是正确的,可广泛应用于 CMOS ASIC 设计中。
作者 朱秉晨
出处 《微处理机》 1991年第2期33-37,共5页 Microprocessors
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