氢氧化钾和酸性溶液腐蚀硅片的比较

本文研究了KOH腐蚀法,它是代替酸腐蚀以去除硅片损伤的一种方法。业已发现,对硅片用户和生产者而言,KOH腐蚀均优于酸腐蚀。对硅片用户而言,KOH腐蚀使器件成品率更高,硅片更平整,背面形状更好,且避免了金属复盖层;对于硅片制造者而言,KOH腐蚀使下硅片成本更稳定更低,加工工艺更紧凑,加工环境要求更一般,加工温度更易于控制,腐蚀后硅片外形均匀性和一致性更好。作者确定了详细的腐蚀速率。