HF处理后Si(100)衬底的低温(900℃)外延生长

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摘要在经HP酸处理后的Si(100)衬底上作了低温(900℃)外延。用常规的低压化学汽相淀积(LPCVD)系统作Si的淀积。经HF酸浸泡之后,外延层的堆垛层错密度(SFD)随去离子水漂洗时间的延续而猛烈增加。对HF酸处理后的氧,氟以及碳杂质用X射线光电子光谱技术进行了测量。残余碳的化学键形态与HF酸的浓度相关。在5％的HF酸处理(相当于优化外延条件)后,大多以C-O键形态存在。

作者 Akihiro Miyauchi 杨卫东

机构地区日立研究实验室

出处《微电子学》 CAS CSCD 1991年第3期54-57,共4页 Microelectronics

关键词 HF处理硅衬底外延生长

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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微电子学

1991年第3期

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