亚微米ULSI无鸟喙封闭界面局部氧化技术

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摘要研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4复合结构的生产中;这种掩蔽结构,对垂直封闭以及在硅选择氧化期间通过掩模夹层边缘封闭氧化剂十分有效。为了在芯片制造过程中形成完全平坦的图形,生长了全开槽和半开槽的场氧化物。本文报道了一种适用于ULSI的无鸟喙LOCOS工艺。

作者 V.K.Dwivedi 苏韧

出处《微电子学》 CAS CSCD 1991年第3期51-53,57,共4页 Microelectronics

关键词集成电路 ULSI 封闭界面氧化技术

分类号 TN470.595 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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