砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性

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摘要 SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)

作者鄢俊明

机构地区电子科大

出处《微电子学》 CAS CSCD 1991年第4期85-90,共6页 Microelectronics

关键词超高速电路集成电路 SI-GAAS材料

分类号 TN453 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

1991年第4期

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