体硅CMOS和CMOS/SOS器件总剂量试验方法比较

我们对不同CMOS工艺技术制作的器件在高低剂量率条件下的试验结果作了比较,低剂量率的试验进行了一年多的时间,以期能尽量接近空间的剂量率;高剂量率试验的器件可以在室温下进行长时间退火,也可以在高温下作短时间的退火。对某些器件来说,100℃的退火温度太低了。文中列出了期望值与实际值的差异,亦对改进实验步骤提出了建议。