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绝缘体上硅工艺的最新进展
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摘要
绝缘体上硅(SOI)工艺应用于诸如军事和空间电子系统等专门场合,已有二十多年历史了。由于SOI具有良好的抗辐射性和高速特性,使它在这些领域具有独特的优点。但是,因为它的材料价格较高,所以它每功能单元的成本高于体硅。然而,已出现三种新型SOI工艺。
作者
曹阳
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1991年第4期44-45,47,共3页
Microelectronics
关键词
绝缘体上硅
工艺
SOI
薄膜
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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