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砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅲ.GaAs中杂质和缺陷的行为;Ⅳ.SI-GaAs单晶的特性
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摘要
3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。
作者
鄢俊明
机构地区
电子科技大学
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1991年第5期78-82,共5页
Microelectronics
关键词
高速电路
GsAs
杂质
缺陷
SI-GAAS
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
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