多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型被引量：2

Low Temperature BJT Model With Polysilicon Emitter

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摘要在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟双极晶体管的低温电学性能.

作者吴金郑茳魏同立

机构地区东南大学微电子中心

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第10期41-44,23,共5页 Microelectronics & Computer

关键词双极晶体管低温器件模型 Bipolar Transistor Low Temperature BJT Model

参考文献3

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微电子学与计算机

1991年第10期

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