互补金属氧化物半导体焦平面阵列输入电路1/f噪声的优选

1/f optimization of a complementary metal oxide semiconductor focal plane array input circuit

在光电探测器系统中,跨阻放大器的噪声特性对光伏探测器的增量导电率是很敏感的。本文表明,因放大器而对噪声有影响的1/f 噪声转角频率是外加到探测器的偏压的函数。二极管的1/f 噪声转角频率在冷焦平面阵列中也是反向偏压的函数,但是有一个不是零伏的最佳反向偏压。当需要使用有大的1/f 噪声转角频率的互补金属氧化物半导体放大器时,这个事实就很重要了。